十一月1998
FDR8308P
双p-频道, 逻辑 水平的, powertrench
TM
场效应晶体管
一般 描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 否则 指出
标识参数FDR8308P单位
V
DSS
流-源 电压-20V
V
GSS
门-源 电压±8V
I
D
流t 电流 - 持续的
(便条 1)
-3.2一个
- 搏动-20
P
D
最大电源 消耗
(便条 1)
0.8
W
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围-55 至 150°C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1)
156°c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
40°c/w
FDR8308Prev.c
-3.2一个, -20 v. r
ds(在)
= 0.050
Ω
@ v
GS
= -4.5v,
R
ds(在)
= 0.070
Ω
@ v
GS
= -2.5v.
低 门 承担 (13nc 典型).
高 效能 trench 技术为 极其 低
R
ds(在)
.
SuperSOT
TM
-8 包装: 小 footprint (40% 较少比
所以-8); low profile(1mmthick);maximum 电源
comparable 至 所以-8.
这 supersot-8 家族 的 p-频道 逻辑 水平的 mosfets
有被 设计 至 提供 一个 低 profile, 小 footprint
alternative 至 工业 标准 所以-8 little foot 类型 产品.
这些 p-频道 逻辑 水平的 mosfets是 生产 使用
仙童 半导体's 先进的 powertrench 处理 那
有 被 tailored 至 降低 这 在-状态 阻抗 和 还
维持更好的 切换 效能.
这些 设备 是 好 suited 为 可携带的 电子的s
产品: 加载 切换 和 电源 管理, 电池
charging 电路, 和 直流/直流 转换.
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
TM
-6
G1
D1
G2
S1
D2
D2
D1
S2
supersot -8
TM
pin
1
8308P
1
5
7
8
2
6
3
4
© 1998 仙童 半导体 公司
: 点此下载
