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资料编号:323576
 
资料名称:FDS5690
 
文件大小: 236.15K
   
说明
 
介绍:
60V N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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FDS5690
fds5690 rev. c
FDS5690
60v n-频道 powertrench


场效应晶体管
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 是 生产 使用 仙童
半导体's 先进的 powertrench 处理 那
有 被 特别 tailored 至 降低 在-状态
阻抗 和 还 维持 更好的 切换
效能.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压 和 电池
powered 产品 在哪里 低 在-线条 电源 丧失 和
产品
直流/直流 转换器
march 2000
特性
7 一个, 60 v. r
ds(在)
= 0.028
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.033
@ v
GS
= 6 v.
低 门 承担 (23nc 典型).
快 切换 速.
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力.
2000 仙童 半导体 公司
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 60 V
V
GSS
门-源 电压
±
20 V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
7A
- 搏动 50
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
2.5 W
(便条 1b)
1.2
(便条 1c)
1
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25
°
c/w
包装 轮廓 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS5690 FDS5690 13
’’
12mm 2500 单位
6
7
8
5
3
2
1
4
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
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