将 2001
2001 仙童 半导体 公司
fds3512 rev b1 (w)
FDS3512
80v n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 有 被 设计
specifically 至 改进 这 整体的 效率 的 直流/直流
转换器 使用 也 同步的 或者 常规的
切换 pwm 控制者.
这些 mosfets 特性 faster 切换 和 更小的
门 承担 比 其它 mosfets 和 comparable
R
ds(在)
规格.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动
(甚至 在 非常 高 发生率), 和 直流/直流 电源
供应 设计 和 高等级的 整体的 效率.
特性
•
4.0 一个, 80 v R
ds(在)
= 70 m
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 80 m
Ω
@ v
GS
= 6 v
•
低 门 承担 (13nc 典型)
•
快 切换 速
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
高 电源 和 电流 处理 能力
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
6
7
8
5
3
2
1
4
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 80 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
4.0 一个
– 搏动 30
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
2.5
(便条 1b)
1.2
P
D
(便条 1c)
1.0
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +175
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS3512 FDS3512 13’’ 12mm 2500 单位
FDS3512
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