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资料编号:323764
 
资料名称:FDS8670
 
文件大小: 118.42K
   
说明
 
介绍:
30V N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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九月 2005
©
2005 仙童 半导体 公司
fds8670 rev c (w)
FDS8670
30v n
-
频道 powertrench
®
场效应晶体管
一般 描述
这个 设备 有 被 设计 specifically 至 改进
技巧 在 场效应晶体管 construction, 这 各种各样的
组件 的 门 承担 和 电容 有 被
优化 至 减少 切换 losses. 低 门
阻抗 和 非常 低 miller 承担 使能 极好的
效能 和 两个都 adaptive 和 fixed dead 时间
门 驱动 电路. 非常 低 rds(在) 有 被
maintained 至 提供 一个 极其 多功能的 设备.
产品
高 效率 直流-直流 转换器:
notebook vcore 电源 供应
电信 brick 同步的 整流器
multi 目的 要点 的 加载
特性
21 一个, 30 v 最大值 r
ds(在)
= 3.7 m
@ v
GS
= 10 v
最大值 r
ds(在)
= 5.0 m
@ v
GS
= 4.5 v
高 效能 trench 技术 为 极其 低
R
ds(在)
和 门 承担
minimal qgd (5.5 nc 典型)
100% r
G
测试 (0.9
典型)
rohs 一致的
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
4
3
2
1
5
6
7
8
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
16
V
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
21I
D
– 搏动 105
一个
电源 消耗
(便条 1a)
2.5
(便条 1b)
1.2
P
D
(便条 1c)
1
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS8670 FDS8670 13’’ 12mm 2500 单位
fds8670 30v n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
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