fes16at - fes16jt
fes16at - fes16jt, rev. 一个
fes16at - fes16jt
16 ampere glass 钝化的 超级的 快 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
1999 仙童 半导体 公司
特性
•
低 向前 电压 漏出.
•
高 surge 电流 capacity.
•
高 电流 能力.
•
高 可靠性.
参数 设备 单位
16AT 16BT 16CT 16DT 16FT 16GT 16HT 16JT
顶峰 repetitive 反转 电压 50 100 150 200 300 400 500 600 V
最大 rms 电压 35 70 105 140 210 280 350 420 V
直流 blocking 电压 (评估 v
R
)
50 100 150 200 300 400 500 600 V
最大 反转 电流
@ 评估 v
R
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 100
°
C
10
500
µ
一个
µ
一个
最大 反转 恢复 时间
I
F
= 0.5 一个, i
R
= 1.0 一个, i
RR
= 0.25 一个
35 50
nS
最大 向前 电压 @ 16.0a
0.975 1.3 1.5 V
典型 接合面 电容
V
R
= 4.0. f = 1.0 mhz
170 145 pF
标识 参数 值 单位
I
O
平均 rectified 电流
.375 " 含铅的 长度 @ t
一个
= 100
°
C
16 一个
i
f(surge)
顶峰 向前 surge 电流
8.3 ms 单独的 half-sine-波
superimposed 在 评估 加载 (jEdec 方法)
250 一个
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
7.81
62
W
mW/
°
C
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 16
°
c/w
R
θ
JL
Thermal resistance, junction 至 含铅的 1.2
°
c/w
T
stg
存储 temperature 范围 -65 至 +150
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -65 至 +150
°
C
维度 是 在:
英寸 (mm)
DIA
12
.412(10.5)
最大值
.148(3.74)
.154(3.91)
.103(2.62)
.113(2.87)
.587(14.91)
.594(15.1)
.53(13.46)
.56(14.22)
.14(3.56)
.16(4.06)
.195(4.95)
.205(5.20)
.027(0.68)
.037(0.94)
.175(4.44)
.185(4.70)
.23(5.84)
.27(6.86)
.10(2.54)
.11(2.79)
.014(0.35)
.025(0.64)
.045(1.14)
.055(1.40)
管脚 1 +
情况
+
管脚 2 -
情况 积极的
管脚 1 -
+
管脚 2 +
情况 负的
后缀 “r”
至-220ac
分离的 电源 &放大; 信号
科技
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