x-带宽 内部 matched 场效应晶体管
特性
・
高 输出 电源: p1db=42.0dbm(典型值.)
・
高 增益: g1db=7.5db(典型值.)
・
高 pae:
η
增加=32%(典型值.)
・
broad 带宽: 8.5~9.6ghz
・
阻抗 matched zin/zout = 50
Ω
・
hermetically sealed 包装
绝对 最大 比率 (情况 温度 tc=25
O
c)
电的 characteristics (情况 温度 tc=25
O
c)
情况 样式: ib
版本 1.2
九月 2004
1
flm8596-15f
便条 : 为基础 在 eiaj ed-4701 c-111a(c=100pf, r=1.5k
Ω
)
Item 标识 比率 单位
流-源 电压
门-源 电压
总的 电源 消耗
存储 温度
V
DS
V
GS
P
T
T
stg
15
-5
57.7
-65 至 +175
V
V
W
o
C
频道 温度
T
ch
175
o
C
电源 增益 在 1db g.c.p.
限制
Item 标识
测试 情况
单位
流 电流
输出 电源 在 1db g.c.p.
增益 flatness
I
DSS
P
1dB
∆
G
一个
V
dB
dBm
最小值
典型值 最大值
流 电流
I
dsr
mS
V
一个
- 4500 -
-0.5 -1.5 -3.0
-5.0 - -
41.0 42.0 -
6.5 7.5 -
- 4.0 5.0
V
DS
=10V
f=8.5 - 9.6 ghz
I
DS
=0.5idss
Zs=Z
L
=50
Ω
电源-增加 效率
η
增加
%
- 32 -
--1.2
- 7.2 10.8
V
DS
=5v, v
GS
=0V
跨导
g
m
V
DS
=5v, i
DS
=2.4a
pinch-止 电压
V
p
V
DS
=5v, i
DS
=240mA
门-源 损坏 电压
V
GSO
I
GS
=-300
µ
一个
G
1dB
dB
热的 阻抗
R
th
频道 至 情况
- 2.3 2.6
o
c/w
频道 温度 上升
∆
T
ch
10v x idsr x rth
- - 100
o
C
描述
这 flm8596-15f 是 一个 电源 gaas 场效应晶体管 那 是 内部 matched
为 标准 交流 bands 至 提供 最佳的 电源 和
增益 在 一个 50
Ω
系统.
推荐 运行 condition(情况 温度 Tc=25
O
c)
Item 标识
情况
单位
直流 输入 电压
门 电流
V
DS
I
GS
≤
10
≤
16.7
V
毫安
限制
R
G
=50
Ω
门 电流
I
GR
R
G
=50
Ω
≥
-3.62
毫安
g.c.p.:增益 压缩 要点
静电释放
类
Ⅲ
2000V
~
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