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提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
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版权
©
intersil 公司 1999
frs130d, frs130r,
FRS130H
12a, 100v, 0.195 ohm, rad hard,
n-频道 电源 mosfets
文件 号码
3219.1
包装
至-257aa
标识
提醒: beryllia 警告 每 mil-s-19500
谈及 至 包装 specifications.
特性
• 12a, 100v, rds(在) = 0.195
Ω
• 第二 一代 rad hard 场效应晶体管 结果 从 新 设计 concepts
• Gamma - 满足 前-rad specifications 至 100krad(si)
- defined 终止 要点 规格 在 300krad(si) 和 1000krad(si)
- 效能 准许 限制 使用 至 3000krad(si)
• gamma 点 - survives 3e9rad(si)/秒 在 80% bvdss 典型地
- survives 2e12 典型地 如果 电流 限制 至 idm
• photo 电流 - 1.5na 每-rad(si)/秒 典型地
• Neutron - 前-rad specifications 为 3e13 neutrons/cm
2
- usable 至 3e14 neutrons/cm
2
描述
这 intersil 公司 有 设计 一个 序列 的 第二 一代 hard-
ened 电源 mosfets 的 两个都 n 和 p 频道 增强 类型 和 比率
从 100v 至 500v, 1a 至 60a, 和 在 阻抗 作 低 作 25m
Ω
. 总的 剂量
硬度 是 offered 在 100k rad(si) 和 1000krad(si) 和 neutron 硬度
ranging 从 1e13n/cm
2
为 500v 产品 至 1e14n/cm
2
为 100v 产品. 剂量
比率 硬度 (gamma 点) exists 为 比率 至 1e9 没有 电流 限制的 和
2e12 和 电流 限制的.
这个 场效应晶体管 是 一个 增强-模式 硅-门 电源 field 效应 晶体管 的
这 vertical dmos (vdmos) 结构. 它 是 specially 设计 和 processed 至
展览 minimal 典型的 改变 至 总的 剂量 (gamma) 和 neutron (n
o
)
exposures. 设计 和 处理 努力 是 也 directed 至 增强 survival 至
重的 ion (看) 和/或者 剂量 比率 (gamma 点) exposure.
这个 部分 将 是 有提供的 作 一个 消逝 或者 在 各种各样的 包装 其它 比 显示 在之上.
可靠性 放映 是 有 作 也 非 tx (商业的), tx 相等的 的
mil-s-19500, txv 相等的 的 mil-s-19500, 或者 空间 相等的 的
mil-s-19500. 联系 这 intersil 高-可靠性 营销 组 为 任何 desired
deviations 从 这 数据 薄板.
绝对 最大 比率
(tc = +25
o
c) 除非 否则 specified
frs130d, r, h 单位
流-源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VDS 100 V
流-门 电压 (rgs = 20k
Ω
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VDGR 100 V
持续的 流 电流
tc = +25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .id
tc = +100
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .id
12
7
一个
一个
搏动 流 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IDM 36 一个
门-源 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VGS
±
20 V
最大 电源 消耗
tc = +25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PT
tc = +100
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PT
derated 在之上 +25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50
20
0.40
W
W
w/
o
C
inductive 电流, clamped, l = 100
µ
h, (看 测试 图示). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ILM 36 一个
持续的 源 电流 (身体 二极管) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .是 12 一个
搏动 源 电流 (身体 二极管) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ISM 36 一个
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tjc, tstg -55 至 +150
o
C
含铅的 温度 (在 焊接)
距离 > 0.063 在. (1.6mm) 从 case, 10s 最大值. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TL 300
o
C
六月 1998
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