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HEXFET
®
电源 场效应晶体管
V
DSS
= 75v
R
ds(在)
= 16m
Ω
I
D
= 42a
specifically 设计 为 automotive 产品,
这个 hexfet
®
电源 场效应晶体管 运用 这 最新的
处理 技巧 至 达到 极其 低
在-阻抗 每 硅 范围. 额外的 特性
的 这个 设计 是 一个 175°c 接合面 运行
温度, 快 切换 速 和 改进
repetitive avalanche 比率 . 这些 特性 com-
bine 至 制造 这个 设计 一个 极其 效率高的 和
可依靠的 设备 为 使用 在 automotive 产品
和 一个 宽 多样性 的 其它 产品.
S
D
G
描述
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
175°c 运行 温度
快 切换
repetitive avalanche 允许 向上 至 tjmax
特性
d-pak
IRFR2307Z
i-pak
IRFU2307Z
automotive 场效应晶体管
pd - 96910
IRFR2307Z
IRFU2307Z
绝对 最大 比率
参数 单位
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
(硅 限制)
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
(包装 限制)
I
DM
搏动 流 电流
P
D
@T
C
= 25°c
电源 消耗 W
直线的 减额 因素 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 V
E
作 (thermally 限制)
单独的 脉冲波 avalanche 活力
d
mJ
E
作
(测试 )
单独的 脉冲波 avalanche 活力 测试 值
h
I
AR
avalanche 电流
Ã
一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
g
mJ
T
J
运行 接合面 和
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
j
––– 1.42
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)
ij
––– 40 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
j
––– 110
-55 至 + 175
300 (1.6mm 从 情况 )
10 lbf
y
在 (1.1n
y
m)
110
0.70
± 20
最大值
53
38
210
42
140
100
看 图.12a, 12b, 15, 16
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