1
特性
超（电）压
关闭
热的
关闭
控制
电路
电流
限制
V
CC
V
在
地
输出
■
低 输出 饱和
电压
0.22v 在 i
输出
= 125ma
0.33v 在 i
输出
= 225ma
■
overmolded 包装
■
在-碎片 flyback 二极管
■
故障 保护
在 电压
关闭 (32v, 典型值)
热的 关闭
(165¡c, 典型值)
短的 电路 限制的
(1.1a 典型值)
-50v 反转 瞬时
保护
60V 加载 丢弃
保护
反转 电池
■
低 安静的 电流
(止 状态)
■
静电释放 保护
包装 选项
5 含铅的 至-220
Overmolded
CS8240
500ma 高 一侧 (pnp) 驱动器
和 在-
碎片 flyback 二极管
描述
块 图解
绝对 最大 比率
这 cs8240 是 一个 快, pnp 高 一侧
驱动器 有能力 的 传送 向上 至
500ma 在 一个 resistive 或者 inductive
加载 在 harsh automotive 或者 工业的
环境. 一个 内部的 flyback
二极管 clamp 是 组成公司的 为 induc-
tive 负载. 这 输入 (v
在
) 是 ttl 和
CMOS 兼容 和 有 hysteresis 至
降低 这 影响 的 噪音. 当 这
输入 是 高, 这 输出 是 在. 当
这 输入 是 低, 这 输出 是 止 和
这 供应 电压 安静的 电流 是
非常 低 (<1.0µa, 典型值). 为 设备 pro-
tection, 这 cs8240 包含 ther-
mal 关闭, 短的 电路 电流
限制的, 在 电压 关闭, 和
反转 电池 保护. 这 cs8240
能 承受 供应 电压 tran-
sients 的 60v (最小值) 和 -50v.
这 cs8240 是 有 在 一个 overmold-
ed 5 含铅的 至-220 包装 和 是 一个 com-
petitive 替换 为 这 lm-1921,
lm-1951, lm-1952, mc-3399, 和 l-9350.
CS8240
供应 电压.....................................................................................6v 至 +26v
超（电）压 保护....................................................................................60v
反转 电压 ........................................................................................-16v 直流
.........................................................................................-50v 瞬时
内部的 电源 消耗 .....................................................内部 限制
逻辑 输入 电压 ..........................................................................-0.3v 至 7.0v
接合面 温度 范围.....................................................-40¡c 至 +150¡c
存储 温度 范围 ......................................................-55¡c 至 +165¡c
含铅的 温度 焊接
波 焊盘(通过 孔 样式 仅有的).............10 秒. 最大值, 260¡c 顶峰
静电的 释放 (人 身体 模型) ............................................2kv
1V
CC
2 输出
3NC
4 地
5V
在
1
一个 公司
¨
rev. 1/27/98
cherry 半导体 公司
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