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g3vm-21gr1
mos 场效应晶体管 接转
新 mos 场效应晶体管 接转 和 低 输出
电容 和 在 阻抗 (c
r =
5pF
) 在 一个 20-v 加载 电压 模型
• 在 阻抗 的 1
(典型) 抑制 输出 信号
attenuation.
• 泄漏 电流 的 1.0 na 最大值 当 输出 接转 是
打开.
■
应用 examples
• 半导体 inspection tools
• 度量 设备
• broadband 系统
• 数据 loggers
便条:
这 真实的 产品 是 markeddifferently 从 这 image
显示 here.
■
列表 的 模型
■
维度
便条:
所有 单位 是 在 毫米 除非 否则 表明.
■
终端 arrangement/内部的连接 (顶 视图)
■
真实的 挂载 垫子维度 (推荐 值, 顶 视图)
联系 表格 Terminals 加载 电压 (顶峰 值) 模型 号码 每 stick 号码 每 录音带
spst-非 表面-挂载
terminals
20 vac g3vm-21gr1 100
g3vm-21gr1(tr) --- 2,500
4.4
±
0.25
3.9
±
0.2
0.4
±
0.1
2.54
±
0.25
2.1 最大值
0.1
±
0.1
7.0
±
0.4
0.6
±
0.3
0.15
g3vm-21gr1
便条:
这 真实的 产品 是 marked differently
从 这 image 显示 here.
重量: 0.1 g
43
12
g3vm-21gr1
6 至 6.3
1.2
0.8
2.54
g3vm-21gr1
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