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资料编号:342290
 
资料名称:IRG4PC50U
 
文件大小: 147.44K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A)
 
 


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   

E
C
G
n-频道
至-247ac
FeaturesFeatures
FeaturesFeatures
特性
• ultrafast: 优化 为 高 运行
发生率 8-40 khz 在 hard 切换, >200
khz 在 resonant 模式
• 一代 4 igbt 设计 提供 tighter
参数 分发 和 高等级的 效率 比
一代 3
• 工业 标准 至-247ac 包装
• 一代 4 igbt's 提供 最高的 效率 有
• igbt's 优化 为 指定 应用 情况
工业-标准 一代 3 ir igbt's
益处
V
CES
= 600v
V
ce(在) 典型值
=
1.65v
@V
GE
= 15v, i
C
= 27a
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ---- 0.64
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24 ---- °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载 ---- 40
Wt 重量 6 (0.21) ---- g (oz)
热的 阻抗
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 损坏 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 55
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 27 一个
I
CM
搏动 集电级 电流
220
I
LM
clamped inductive 加载 电流
220
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
E
ARV
反转 电压 avalanche 活力
20 mJ
P
D
@ t
C
= 25
°
C 最大 电源 消耗 200
P
D
@ t
C
= 100
°
C 最大 电源 消耗 78
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度,10 300 (0.063 在. (1.6mm 从 情况 )
°
C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf
在 (1.1n
m)
绝对 最大 比率
W
12/30/00
www.irf.com 1
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