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资料编号:347010
 
资料名称:IRGBC30U
 
文件大小: 244.24K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
c-657
IRGBC30U
ultrafast igbtinsulated 门 双极 晶体管
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 1.2
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载 80
Wt 重量 2.0 (0.07) g (oz)
特性
• 切换-丧失 比率 包含 所有 "tail" losses
看 图. 1 为 电流 vs. 频率 曲线
V
CES
= 600v
V
ce(sat)
3.0v
@V
GE
= 15v, i
C
= 12a
E
C
G
n-ch一个nnel
描述
insulated 门 双极 晶体管 (igbts) 从 国际的 整流器 有
高等级的 usable 电流 densities 比 comparable 双极 晶体管, 当 在
这 一样 时间 having simpler 门-驱动 (所需的)东西 的 这 familiar 电源
场效应晶体管. 它们 提供 substantial 益处 至 一个 host 的 高-电压, 高-
电流 产品.
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 23
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 12 一个
I
CM
搏动 集电级 电流 92
I
LM
clamped inductive 加载 电流 92
V
GE
门-至-发射级 电压 ±20 V
E
ARV
反转 电压 avalanche 活力 10 mJ
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 100 W
P
D
@ t
C
= 100°c 最大 电源 消耗 42
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒. 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况)
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf•in (1.1n•m)
热的 阻抗
pd - 9.682a
至-220ab
修订 0
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至 顺序
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