半导体
5-3
hgtg20n60c3r, hgtp20n60c3r,
hgt1s20n60c3r, hgt1s20n60c3rs
40a, 600v, 坚毅的 ufs 序列 n-频道 igbts
特性
• 40a, 600v t
J
= 25
o
C
• 600v 切换 soa 能力
• 典型 下降 时间 在 t
J
= 150
o
C . . . . . . . . . . . . . 330ns
• 短的 电路 比率 在 t
J
= 150
o
C . . . . . . . . . . . . . 10
µ
s
• 低 传导 丧失
描述
这个 家族 的 igbts 是 设计 为 最佳的 效能
在 这 要求 world 的 发动机 控制 运作 作 好 作
其它 高 电压 切换 产品. 这些 设备
demonstrate 坚毅的 效能 能力 当
subjected 至 harsh 短的 电路 承受 时间
(scwt) 情况. 这 部分 有 ultrafast (ufs)
切换 速 当 这 在-状态 传导 losses 有
被 保持 在 一个 低 水平的.
这 电的 specifications 包含 典型 转变-在 和
转变-止 dv/dt 比率. 这些 比率 和 这 转变-在 比率
包含 这 效应 的 这 二极管 在 这 测试 电路 (图示 16).
这 数据 是 得到 和 这 二极管 在 这 一样 t
J
作 这
igbt 下面 测试.
formerly developmental 类型 ta49047.
终端 图解
n-频道 增强 模式
包装
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
HGTP20N60C3R 至-220ab 20N60C3R
HGTG20N60C3R 至-247 20N60C3R
HGT1S20N60C3R 至-262aa 20N60C3R
HGT1S20N60C3RS 至-263ab 20N60C3R
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码. 增加 这 suffix 9a
至 获得 这 至-263ab variant 在 这 录音带 和 卷轴, i.e.,
hgt1s20n60c3rs9a.
C
E
G
电子元件工业联合会 样式 至-247 电子元件工业联合会 至-220ab (alternate 版本)
电子元件工业联合会 至-263ab 电子元件工业联合会 至-262aa
E
C
G
集电级
(flange)
E
C
G
集电级
(flange)
G
E
集电级
(flange)
一个
一个
M
G
E
C
集电级
(flange)
harris 半导体 igbt 产品 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,364,073 4,417,385 4,430,792 4,443,931 4,466,176 4,516,143 4,532,534 4,567,641
4,587,713 4,598,461 4,605,948 4,618,872 4,620,211 4,631,564 4,639,754 4,639,762
4,641,162 4,644,637 4,682,195 4,684,413 4,694,313 4,717,679 4,743,952 4,783,690
4,794,432 4,801,986 4,803,533 4,809,045 4,809,047 4,810,665 4,823,176 4,837,606
4,860,080 4,883,767 4,888,627 4,890,143 4,901,127 4,904,609 4,933,740 4,963,951
4,969,027
january 1997
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 恰当的 静电释放 处理 程序.
版权
©
harris 公司 1997
文件 号码
4226.1
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