技术的 数据
npn 硅 切换 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/255
设备 qualified 水平的
2N2221A
2N2221AL
2N2221AUA
2N2221AUB
2N2222A
2N2222AL
2N2222AUA
2N2222AUB
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
JANHC
最大 比率
比率 标识 All 类型 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
50 Vdc
集电级-根基 电压
V
CBO
75 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
6.0 Vdc
集电级 电流
I
C
800 mAdc
总的 电源 消耗@ t
一个
= +25
0
C
2n2221a, l; 2n2222a, l
(1)
2n2221aua; 2n2222aua
(2)
2N2221aub; 2n2222aub
(1)
P
T
0.5
0.65
0.50
W
运行 &放大; 存储 接合面 温度 范围
T
运算
,
T
stg
-65 至 +200
0
C
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
2n2221a, l; 2n2222a, l
2n2221aua; 2n2222AUA
2n2221aub; 2n2222aub
R
θ
JA
325
210
325
0
c/w
1) 减额 成直线地 3.08 mw/
0
c 在之上 t
一个
> +37.5
0
C
2) 减额 成直线地 4.76 mw/
0
c 在之上 t
一个
> +63.5
0
C
至-18* (至-206aa)
2n2221a, 2n2222a
4 pin*
2n2221aua,2N2222AUA
3 pin*
2n2221aub, 2n2222aub
*see 附录 一个 为 包装
外形
电的 特性 (t
一个
= 25
0
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 madc
V
(br)
CEO
50
Vdc
集电级-根基 截止 current
V
CB
= 75 vdc
V
CB
= 60 vdc
I
CBO
10
10
µ
模数转换器
η
模数转换器
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 6.0 vdc
V
EB
= 4.0 vdc
I
EBO
10
10
µ
模数转换器
η
模数转换器
集电级-根基 截止 电流
V
CE
= 50 vdc
I
CES
50
η
模数转换器
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
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