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资料编号:381413
 
资料名称:HM1-6514-9
 
文件大小: 41.05K
   
说明
 
介绍:
1024 x 4 CMOS RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
6-1
march 1997
hm-6514
1024 x 4 cmos 内存
特性
低 电源 备用物品 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
µ
w 最大值
低 电源 运作 . . . . . . . . . . . . . 35mw/mhz 最大值
数据 保持 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 在 2.0v 最小值
ttl 兼容 输入/输出
一般 数据 输入/输出
三-状态 输出
标准 电子元件工业联合会 引脚
快 进入 时间. . . . . . . . . . . . . . . . . . 120/200ns 最大值
18 管脚 包装 为 高 密度
在-碎片 地址 寄存器
gated 输入 - 非 拉 向上 或者 拉 向下 电阻器
必需的
描述
这 hm-6514 是 一个 1024 x 4 静态的 cmos 内存 fabricated
使用 自-排整齐 硅 门 技术. 这 设备 运用
同步的 电路系统 至 达到 高 效能 和 低
电源 运作.
在-碎片 latches 是 提供 为 地址 准许 efficient
接合 和 微处理器 系统. 这 数据 输出
能 是 强迫 至 一个 高 阻抗 状态 为 使用 在 expanded
记忆 arrays.
gated 输入 准许 更小的 运行 电流 和 也 elimi-
nate 这 需要 为 拉 向上 或者 拉 向下 电阻器. 这
hm-6514 是 一个 全部地 静态的 内存 和 将 是 maintained 在 任何
状态 为 一个 indefinite 时期 的 时间.
teed 在 温度.
订货 信息
120ns 200ns 300ns 温度 范围 包装 pkg. 非.
hm3-6514s-9 hm3-6514b-9 hm3-6514-9 -40
o
c 至 +85
o
C PDIP e18.3
hm1-6514s-9 hm1-6514b-9 hm1-6514-9 -40
o
c 至 +85
o
C CERDIP f18.3
24502BVA - - - JAN# f18.3
8102402VA 8102404VA 8102406VA - SMD# f18.3
----40
o
c 至 +85
o
C CLCC j18.b
- - hm4-6514-b -55
o
c 至 +125
o
C j18.b
Pinouts
hm-6514 (pdip, cerdip)
顶 视图
hm-6514 (clcc)
顶 视图
10
11
12
13
14
15
16
17
18
9
8
7
6
5
4
3
2
1
V
CC
A8
A9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
A7
W
A6
A5
A4
A3
A0
A1
E
A2
管脚 描述
一个 地址 输入
E 碎片 使能
W 写 使能
D 数据 输入
Q 数据 输出
3
4
5
6
7
8 9 10 11
21 17
13
12
16
15
14
A3
A4
A0
A1
A2
DQ3
W
E
A7
A6
DQ0
DQ1
A9
DQ2
A8
A5
V
CC
18
文件 号码
2995.1
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
http://www.intersil.com 或者 407-727-9207
|
版权
©
intersil 公司 1999
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