特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
静电释放 保护: 2000 v
产品
直接 逻辑-水平的 接口: ttl/cmos
soild 状态 接转
驱动器: 接转, solenoids, lamps, hammers,
显示, memories, 晶体管, 等
电池 运作 系统
2n7000kl/bs170kl
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72705
s-40247—rev.一个, 16-二月-04
www.vishay.com
1
n-频道 60-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
V
gs(th)
(
V
) I
D
(一个)
60
2 @ v
GS
= 10 v
1 0 至 2 5
0.47
60
4 @ v
GS
= 4.5 v
1.0 至 2.5
0.33
至-226aa
(至-92)
顶 视图
S
D
G
1
2
3
订货 信息: 2n7000kl-tr1
设备 标记
front 视图
“s” 2n
7000KL
xxyy
“s” = siliconix 标志
xxyy
= 日期 代号
至-92-18rm
(至-18 含铅的 表格)
顶 视图
D
S
G
1
2
3
订货 信息: bs170kl-tr1
设备 标记
front 视图
“s” bs
170KL
xxyy
“s” = siliconix 标志
xxyy
= 日期 代号
D
S
G
100
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
60
V
门-源 voltage V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
T
一个
= 25
C
I
D
0.47
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
T
一个
= 70
C
I
D
0.37
一个
搏动 流 电流
一个
I
DM
1.0
电源 消耗
T
一个
= 25
C
P
D
0.8
W电源 消耗
T
一个
= 70
C
P
D
0.51
W
最大 接合面-至-包围的 R
thJA
156
c/w
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
注释
一个. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
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