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Si9956DY
n-频道 增强 模式 ﬁeld-效应 晶体管
rev. 01 — 16 july 2001 产品 数据
c
c
M3D315
1. 描述
双 n-频道 增强 模式 ﬁeld-效应 晶体管 在 一个 塑料 包装 使用
TrenchMOS™
1
技术.
产品 有效性:
si9956dy 在 sot96-1 (so8).
2. 特性
■
低 在-状态 阻抗
■
快 切换
■
trenchmos™ 技术.
3. 产品
■
直流 至 直流 convertors
■
直流 发动机 控制
■
lithium-ion 电池 产品
■
notebook pc
■
可携带的 设备 产品.
4. 固定 信息
1. trenchmos 是 一个 商标 的 royal 飞利浦 electronics.
表格 1: 固定 - sot96-1, simpliﬁed 外形 和 标识
管脚 描述 simpliﬁed 外形 标识
1 源 1 (s
1
)
sot96-1 (so8)
2 门 1 (g
1
)
3 源 2 (s
2
)
4 门 2 (g
2
)
5,6 流 2 (d
2
)
7,8 流 1 (d
1
)
12 34
5678
管脚 1 index
03ab52
g1
d1
s1
d2
g2 s2
03ab58

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内　容:
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Si9956DY n-频道增强模式 ﬁeld-效应晶体管 rev. 01 — 16 july 2001 产品数据 c c M3D315 1. 描述双 n-频道增强模式 ﬁeld-效应晶体管在一个塑料包装使用 TrenchMOS™ 1 技术. 产品有效性: si9956dy 在 sot96-1 (so8). 2. 特性 ■ 低在-状态阻抗 ■ 快切换 ■ trenchmos™ 技术. 3. 产品 ■ 直流至直流 convertors ■ 直流发动机控制 ■ lithium-ion 电池产品 ■ notebook pc ■ 可携带的设备产品. 4. 固定信息 1. trenchmos 是一个商标的 royal 飞利浦 electronics. 表格 1: 固定 - sot96-1, simpliﬁed 外形和标识管脚描述 simpliﬁed 外形标识 1 源 1 (s 1 ) sot96-1 (so8) 2 门 1 (g 1 ) 3 源 2 (s 2 ) 4 门 2 (g 2 ) 5,6 流 2 (d 2 ) 7,8 流 1 (d 1 ) 12 34 5678 管脚 1 index 03ab52 g1 d1 s1 d2 g2 s2 03ab58

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