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07/16/03
HEXFET
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 12
高 频率 直流-直流 转换器
益处
产品
低 门-至-流 承担 至 减少
切换 losses
全部地 典型 电容 包含
有效的 c
OSS
至 使简化 设计, (看
app. 便条 an1001)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
IRFB41N15D
IRFIB41N15D
IRFS41N15D
IRFSL41N15D
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
150V
0.045
:
41A
绝对 最大 比率
参数 单位
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
DM
搏动 流 电流
c
P
D
@T
一个
= 25°c
电源 消耗, d
2
Pak
W
P
D
@T
C
= 25°c
电源 消耗, 至-220
P
D
@T
C
= 25°c
电源 消耗, fullpak
直线的 减额 因素, 至-220
w/°c
直线的 减额 因素, fullpak
V
GS
门-至-源 电压
V
dv/dt
顶峰 二极管 恢复 dv/dt
e
v/ns
T
J
运行 接合面 和
T
STG
存储 温度 范围
°C
焊接 温度, 为 10 秒
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw
n•m (lbf•in)
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
––– 0.75 °c/w
R
θ
JC
接合面-至-情况, fullpak
––– 3.14
R
θ
cs
情况-至-下沉, flat, greased 表面
h
0.50 –––
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 至-220
h
––– 62
R
θ
JA
接合面-至-包围的, d
2
Pak
i
––– 40
R
θ
JA
接合面-至-包围的, fullpak
––– 65
3.1
48
0.32
200
1.3
± 30
2.7
最大值
41
29
164
-55 至 + 175
300 (1.6mm 从 情况 )
1.1(10)
D
2
Pak
IRFS41N15D
至-220ab
IRFB41N15D
至-262
IRFSL41N15D
至-220 fullpak
IRFIB41N15D