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资料编号:403336
 
资料名称:ILD217
 
文件大小: 53.04K
   
说明
 
介绍:
DUAL PHOTOTRANSISTOR SMALL OUTLINE SURFACE MOUNT OPTOCOUPLER
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号ILD217的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
5–1
特性
二 频道 coupler
工业 标准 soic-8 表面 mountable
包装
标准 含铅的 间隔 的 .05"
有 在 录音带 和 卷轴 选项
(遵从 至 eia 标准 481-2)
分开 测试 电压,2500 电压有效值
高 电流 转移 ratios
ild205, 40 – 80%
ild206, 63 –125%
ild207, 100 – 200%
ild211, 20% 最小
ild213, 100% 最小
ild217, 100% 最小 在 1 毫安
高 bvceo, 70 v
兼容 和 双 波, vapor 阶段 和
ir reflow 焊接
描述
这 ild205/206/207/211/213/217 是 optically
结合 pairs 和 一个 镓 砷化物 infrared led
和 一个 硅 npn phototransistor. 信号 informa-
tion, 包含 一个 直流 水平的, 能 是 transmitted 用
这 设备 当 维持 一个 高 程度 的 elec-
trical 分开 在 输入 和 输出. 这
ild205/6/7/11/13/17 来到 在 一个 标准 soic-8
小 外形 包装 为 表面 挂载 这个
制造 它 ideally suited 为 高 密度 产品
和 限制 空间. 在 增加 至 eliminating
通过-孔 (所需的)东西, 这个 包装 con-
形式 至 standards 为 表面 挂载 设备.
一个 specified 最小 和 最大 ctr 准许 一个
narrow 容忍 在 这 电的 设计 的 这
调整 电路. 这 高 bv
CEO
的 70 伏特 给
一个 高等级的 安全 余裕 对照的 至 这 工业
标准 的 30 伏特.
最大 比率
(各自 频道)
发射级
顶峰 反转 电压 .....................................6.0 v
顶峰 搏动 电流 (1
µ
s, 300 pps) .................1 一个
持续的 向前 电流 每 频道 ....30 毫安
电源 消耗 在 25
°
c............................45 mw
减额 成直线地 从 25
°
C......................0.5 mw/
°
C
探测器
集电级-发射级 损坏 电压...............70 v
发射级-集电级 损坏 电压.................7 v
电源 消耗 每 频道....................55 mw
减额 成直线地 从 25
°
C....................0.55 mw/
°
C
包装
总的 包装 消耗 在 25
°
c 包围的
(2 leds + 2 detectors, 2 途径).......200 mw
减额 成直线地 从 25
°
C......................2.0 mw/
°
C
存储 温度 –55
°
C................... 至 +150
°
C
运行 温度 –55
°
C ............... 至 +100
°
C
焊接 时间 在 260
°
C ............................. 10 秒.
ild205/206/207/211/213/217
双 phototransistor
小 外形
表面 挂载 optocoupler
特性
(t
一个
=25
°
c)
8月 1995
参数 最小值 典型值 最大值
.
单位 测试
情况
发射级
向前 电压 1.2 1.55 V I
F
=10 毫安
反转 电流 0.1 100 毫安 V
R
=6.0 v
电容 25 pF V
R
=0
探测器
BV
CEO
70 V I
C
=10 毫安
BV
ECO
7VI
E
=10 毫安
I
CEO
550nA V
CE
=10 v
I
F
=0
集电级-发射级
电容
10 pF V
CE
=0
包装
直流 电流 转移
ILD205
ILD206
ILD207
ILD211
ILD213
ILD205
ILD206
ILD207
ILD217
40
63
100
20
100
13
22
34
100
30
45
70
130
80
125
200
%
%
%
%
%
%
%
%
V
CE
=5 v
I
F
=10 毫安
I
F
=10 毫安
I
F
=10 毫安
I
F
=10 毫安
I
F
=10 毫安
I
F
=1 毫安
I
F
=1 毫安
I
F
=1 毫安
I
F
=1 毫安
集电级-发射级 饱和
电压 v
ce (sat)
0.4 V
I
F
=10 毫安
I
F
=2.5 毫安
电容, 输入 至
输出
0.5 pF
分开 测试 电压 2500 VAC
RMS
t=1 最小值
阻抗, 输入 至 输出 100 G
转变-在 时间 5.0
µ
sI
C
=2 毫安,
R
E
= 100
V
CE
=5 v
转变-止 时间 4.0
µ
s
维度 在 英寸 (mm)
1
2
3
4
Anode
Cathode
Anode
Cathode
8
7
6
5
Collecto
r
发射级
Collecto
r
发射级
40
°
.240
(6.10)
.154
±
.002
(3.91
±
.05)
.050 (1.27) 典型值
.016 (.41)
.230
±
.002
(4.88
±
.05)
.004 (.10)
.008 (.20)
含铅的
Coplanarity
±
.001 (.04)
最大值
.015
±
.002
(.38
±
.05)
.008 (.20)
7
°
.058
±
.005
(1.49
±
.13)
.125
±
.005
(3.18
±
.13)
管脚 1
.120
±
.002
(3.05
±
.05)
C
L
.040 (1.02)
5
°
最大值
r.010
(.25) 最大值
.020
±
.004
(.15
±
.10)
2 plcs.
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