tlv2342, tlv2342y, tlv2344, tlv2344y
LinCMOS
低-电压 高-速
运算的 放大器
slos194 – 二月 1997
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
宽 范围 的 供应 电压 在
指定 温度 范围:
–40
°
c 至 85
°
c...2 v 至 8 v
D
全部地 典型 在 3 v 和 5 v
D
单独的-供应 运作
D
一般模式 输入-电压 范围
extends 在下 这 负的 栏杆 和 向上 至
V
DD
–1 v 在 25
°
C
D
输出 电压 范围 包含 负的
栏杆
D
高 输入 impedance...10
12
Ω
典型
D
静电释放-保护 电路系统
D
设计-在 获得-向上 免除
描述
这 tlv234x 运算的 放大器 是 在 一个 家族
的 设备 那 有 被 specifically 设计 为
使用 在 低-电压 单独的-供应 产品.
不像 其它 产品 在 这个 家族 设计
primarily 至 满足 aggressive 电源 消耗量
规格, 这 tlv234x 是 开发 至
提供 交流 效能 approaching 那 的 一个 bifet
运算的 放大器 当 运行 从 一个
单独的-供应 栏杆. 在 3 v, 这 tlv234x 有 一个
典型 回转 比率 的 2.1 v/
µ
s 和 790-khz
统一体-增益 带宽.
各自 放大器 是 全部地 函数的 向下 至 一个
最小 供应 电压 的 2 v 和 是 全部地
典型, 测试, 和 指定 在 两个都 3-v
和 5-v 电源 供应 在 一个 温度 范围
的 –40
°
c 至 85
°
c. 这 一般模式 输入
电压 范围 包含 这 负的 栏杆 和
extends 至 在里面 1 v 的 这 积极的 栏杆.
有 选项
V 最大值
packaged 设备
碎片 表格
§
T
一个
V
IO
最大值
在25
°
C
小 外形
†
(d)
塑料 插件
(n)
塑料 插件
(p)
TSSOP
‡
(pw)
碎片 表格
§
(y)
–40
°
Cto85
°
C
9 mv TLV2342ID — TLV2342IPTLV2342IPWLETLV2342Y
–40
°
c 至 85
°
C
10 mv TLV2344ID TLV2344IN — TLV2344IPWLETLV2344Y
†
这 d 包装 是 有 带子系紧 和 卷盘. 增加 r 后缀 至 这 设备 类型 (e.g., tlv2342idr).
‡
这 pw 包装 是 仅有的 有 left-终止 带子系紧 和 卷盘 (e.g., tlv2342ipwle).
§
碎片 形式 是 测试 在 25
°
c 仅有的.
版权
1997, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
lincmos 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
1
2
3
4
8
7
6
5
1OUT
1IN–
1IN+
V
DD–
/地
V
DD
2OUT
2IN–
2IN+
1
2
3
4
8
7
6
5
1OUT
1IN–
1IN+
V
DD –
/地
V
DD +
2OUT
2IN–
2IN+
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
1OUT
1IN–
1IN+
V
DD +
2IN+
2N–
2OUT
4OUT
4IN–
4IN+
V
DD –/地
3IN+
3IN–
3OUT
1
14
8
7
4OUT
4IN –
4IN +
V
DD –
/地
3IN +
3IN –
3OUT
1OUT
1IN –
1IN +
V
DD+
2IN +
2IN –
2OUT
TLV2342
d 或者 p 包装
(顶 视图)
TLV2342
pw 包装
(顶 视图)
TLV2344
d 或者 n 包装
(顶 视图)
TLV2344
pw 包装
(顶 视图)
: 点此下载
