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资料编号:406867
 
资料名称:IR21064S
 
文件大小: 321.69K
   
说明
 
介绍:
HIGH AND LOW SIDE DRIVER
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
典型 连接
高 和 低 一侧 驱动器
特性
floating 频道 设计 为 自举 运作
全部地 运算的 至 +600v
tolerant 至 负的 瞬时 电压
dv/dt 不受影响
门 驱动 供应 范围 从 10 至 20v (ir2106(4))
欠压 lockout 为 两个都 途径
3.3v, 5v 和 15v 输入 逻辑 兼容
matched 传播 延迟 为 两个都 途径
更小的 di/dt 门 驱动器 为 更好的 噪音 免除
输出 在 阶段 和 输入 (ir2106)
包装
14-含铅的 pdip
14-含铅的 soic
ir2106(4)
(
S
)
8-含铅的 pdip
8-含铅的 soic
www.irf.com 1
数据 薄板 非. pd60162 rev. v
(谈及 至 含铅的 assignments 为 cor-
rect 管脚 配置). 这个/这些
图解(s) 显示 电的 connec-
tions 仅有的. 请 谈及 至 我们的 appli-
cation 注释 和 designtips 为
恰当的 电路 板 布局.
部分
输入
逻辑
交叉-
传导
prevention
逻辑
dead-时间 地面 管脚 ton/toff
2106/2301
COM
21064
hin/lin 毫无
vss/com
220/200
2108 内部的 540ns COM
21084
hin/lin yes
可编程序的 0.54~5
µ
s
vss/com
220/200
2109/2302 内部的 540ns COM
21094
在/sd yes
可编程序的 0.54~5
µ
s
vss/com
750/200
2106/2301//2108//2109/2302/2304
特性 comparison
2304
hin/lin
yes
内部的 100ns
COM
160/140
描述
这 ir2106(4)(s) 是 高 电压,
高 速 电源 场效应晶体管 和
igbt 驱动器 和 独立 高
和 低 一侧 关联 输出 chan-
nels. 专卖的 hvic 和 获得
不受影响 cmos 科技 使能
加固 大而单一的 构建.
这 逻辑 输入 是 兼容 和
标准 cmos 或者 lsttl 输出,
向下 至 3.3v 逻辑. 这 输出 driv-
ers 特性 一个 高 脉冲波 电流 缓存区 平台 设计 为 最小 驱动器 交叉-传导. 这 floating
频道 能 是 使用 至 驱动 一个 n-频道 电源 场效应晶体管 或者 igbt 在 这 高 一侧 配置 这个
运作 向上 至 600 伏特.
IR2106
V
CC
V
B
V
S
HO
LOCOM
HIN
LIN
向上 至 600v
加载
V
CC
LIN
HIN
IR21064
向上 至 600v
加载
V
CC
V
B
V
S
HO
LO
COM
HIN
V
SS
LIN
V
CC
V
SS
LIN
HIN
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