HEXFET
®
电源 场效应晶体管
specifically 设计 为 automotive 产品, 这个
设计 的 hexfet
®
电源 mosfets 运用 这 lastest
处理 技巧 至 达到 极其 低 在-
阻抗 每 硅 范围. 额外的 特性 的 这个
hexfet 电源 场效应晶体管 是 一个 175°c 接合面 运行
温度, 快 切换 速 和 改进 repetitive
avalanche 比率. 这些 联合的 至 制造 这个 设计 一个
极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 automotive
产品 和 一个 宽 多样性 的 其它 产品.
S
D
G
V
DSS
= 30v
R
ds(在)
= 3.3m
Ω
I
D
= 75a
描述
www.irf.com 1
●
先进的 处理 技术
●
过激 低 在-阻抗
●
175°c 运行 温度
●
快 切换
●
repetitive avalanche 允许 向上 至 tjmax
特性
典型 产品
●
14v automotive 电的 系统
●
14v 电子的 电源 steering
automotive 场效应晶体管
IRF1503
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.45
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 62
热的 阻抗
至-220ab
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v (硅 限制) 240
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v (看 图.9) 170 一个
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v (包装 限制) 75
I
DM
搏动 流 电流
960
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 330 W
直线的 减额 因素 2.2 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
510 mJ
E
作
(测试) 单独的 脉冲波 avalanche 活力 测试 值
980
I
AR
avalanche 电流
看 图.12a, 12b, 15, 16 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
mJ
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
绝对 最大 比率
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