IRG4BC20UD
insulated 门 双极 晶体管 和
ultrafast 软 恢复 二极管
特性
E
G
n-频道
C
V
CES
= 600v
V
ce(在) 典型值
=
1.85v
@V
GE
= 15v, i
C
= 6.5a
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 - igbt ------ ------ 2.1
R
θ
JC
接合面-至-情况 - 二极管 ------ ------ 3.5 °c/w
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 ------ 0.50 ------
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载 ----- ----- 80
Wt 重量 ------ 2 (0.07) ------ g (oz)
热的 阻抗
ultrafast copack igbt
3/21/2000
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 600 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 13
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 6.5
I
CM
搏动 集电级 电流
52 一个
I
LM
clamped inductive 加载 电流
52
I
F
@ t
C
= 100°c 二极管 持续的 向前 电流 7.0
I
FM
二极管 最大 向前 电流 52
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 60
P
D
@ t
C
= 100°c 最大 电源 消耗 24
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒. 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况)
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf•in (1.1 n•m)
• ultrafast: 优化 为 高 运行
发生率 8-40 khz 在 hard 切换, >200
khz 在 resonant 模式
• 一代 4 igbt 设计 提供 tighter
参数 分发 和 高等级的 效率 比
一代 3
• igbt co-packaged 和 hexfred
ultrafast,
过激-软-恢复 反对-并行的 二极管 为 使用 在
桥 配置
• 工业 标准 至-220ab 包装
益处
• 一代 -4 igbts 提供 最高的 efficiencies
有
• igbts 优化 为 明确的 应用 情况
• hexfred 二极管 优化 为 效能 和
igbts. 使减少到最低限度 恢复 特性 需要
较少/非 snubbing
• 设计 至 是 一个 "漏出-在" 替换 为 相等的
工业-标准 一代 3 ir igbts
pd 91449b
W
至-220AB
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