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4/22/04
IRL7833
IRL7833S
IRL7833L
HEXFET
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 12
产品
益处
非常 低 rds(在) 在 4.5v v
GS
过激-低 门 阻抗
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
高 频率 同步的 buck
转换器 为 计算机 处理器 电源
高 频率 分开的 直流-直流
转换器 和 同步的 整流
为 电信 和 消费者 使用
D
2
Pak
IRL7833S
至-220ab
IRL7833
至-262
IRL7833L
V
DSS
R
ds(在)
最大值
Qg
30V
3.8m
:
32nC
绝对 最大 比率
参数 单位
V
DS
流-至-源 电压 V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
DM
搏动 流 电流
P
D
@T
C
= 25°c
最大 电源 消耗
g
W
P
D
@T
C
= 100°c
最大 电源 消耗
g
直线的 减额 因素 w/°c
T
J
运行 接合面 和 °C
T
STG
存储 温度 范围
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 1.04
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面
h
0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
h
––– 62
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)
gÃ
––– 40
最大值
150
f
110
f
600
± 20
30
10 lbf
y
在 (1.1n
y
m)
-55 至 + 175
140
0.96
72
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