IRLI520N
初步的
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1496a
S
D
G
V
DSS
= 100v
R
ds(在)
= 0.18
Ω
I
D
=8.1a
逻辑-水平的 门 驱动
先进的 处理 技术
分开的 包装
高 电压 分开 = 2.5kvrms
下沉 至 含铅的 creepage dist. = 4.8mm
全部地 avalanche 评估
至-220 fullpak
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets
是 好 知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其
效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的
产品.
这 至-220 fullpak 排除 这 需要 为 额外的
insulating 硬件 在 商业的-工业的 产品.
这 moulding 复合 使用 提供 一个 高 分开
能力 和 一个 低 热的 阻抗 在 这 tab
和 外部 散热器. 这个 分开 是 相等的 至 使用
一个 100 micron mica 屏障 和 标准 至-220 产品.
这 fullpak 是 挂载 至 一个 散热器 使用 一个 单独的 clip 或者
用 一个 单独的 screw fixing.
3/16/98
描述
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 5.0
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 65
热的 阻抗
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 8.1
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 5.7 一个
I
DM
搏动 流 电流
35
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 30 W
直线的 减额 因素 0.20 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
85 mJ
I
AR
avalanche 电流
6.0 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
3.0 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw 10 lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
°c/w
: 点此下载
