IRLR7843_集成电路资料查询网

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12/30/03
IRLR7843
IRLU7843
HEXFET


电源 场效应晶体管
注释


通过

是 在 页 11
产品
益处

非常 低 rds(在) 在 4.5v v
GS

过激-低 门 阻抗

全部地 典型 avalanche 电压
和 电流

高 频率 同步的 buck
转换器 为 计算机 处理器 电源

高 频率 分开的 直流-直流
转换器 和 同步的 整流
为 电信 和 工业的 使用
d-pak
IRLR7843
i-pak
IRLU7843
绝对 最大 比率
参数 单位
V
DS
流-至-源 电压 V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
DM
搏动 流 电流

P
D
@T
C
= 25°c
最大 电源 消耗
g
W
P
D
@T
C
= 100°c
最大 电源 消耗
g
直线的 减额 因素 w/°c
T
J
运行 接合面 和 °C
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 1.05
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)
gÃ
––– 50 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 110
140
最大值
161
f
113
f
620
± 20
30
0.95
71
300 (1.6mm 从 情况)
-55  至 + 175
V
DSS
R
ds(在)
最大值
Qg
30V
3.3m
:
34nC
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www.irf.com 1 12/30/03 IRLR7843 IRLU7843 HEXFET   电源场效应晶体管注释   通过  是在页 11 产品益处  非常低 rds(在) 在 4.5v v GS  过激-低门阻抗  全部地典型 avalanche 电压和电流  高频率同步的 buck 转换器为计算机处理器电源  高频率分开的直流-直流转换器和同步的整流为电信和工业的使用 d-pak IRLR7843 i-pak IRLU7843 绝对最大比率参数单位 V DS 流-至-源电压 V V GS 门-至-源电压 I D @ t C = 25°c 持续的流电流, v GS @ 10v I D @ t C = 100°c 持续的流电流, v GS @ 10v 一个 I DM 搏动流电流  P D @T C = 25°c 最大电源消耗 g W P D @T C = 100°c 最大电源消耗 g 直线的减额因素 w/°c T J 运行接合面和 °C T STG 存储温度范围焊接温度, 为 10 秒热的阻抗参数典型值最大值单位 R θ JC 接合面-至-情况 ––– 1.05 R θ JA 接合面-至-包围的 (pcb 挂载) gÃ ––– 50 °c/w R θ JA 接合面-至-包围的 ––– 110 140 最大值 161 f 113 f 620 ± 20 30 0.95 71 300 (1.6mm 从情况) -55 至 + 175 V DSS R ds(在) 最大值 Qg 30V 3.3m : 34nC 

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