1 - 4
© 2000 ixys 所有 权利 保留
S
G
S
D
minibloc, sot-227 b (ixfn)
E153432
至-264 aa (ixfk)
特性
国际的 标准 包装
Encapsulating
环氧的
满足
UL
94
v-0, flammability 分类
miniBLOC
和 aluminium 渗氮
分开
低 r
ds (在)
HDMOS
TM
处理
坚毅的 polysilicon 门 cell 结构
unclamped inductive 切换 (uis)
评估
低 包装 电感
快 intrinsic 整流器
产品
直流-直流 转换器
同步的 整流
电池 chargers
切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
直流 choppers
温度 和 lighting 控制
低 电压 接转
有利因素
容易 至 挂载
空间 savings
高 电源 密度
g = 门 d = 流
s = 源 tab = 流
也 源 终端 在 minibloc 能 是 使用
作 主要的 或者 kelvin 源
S
G
D
d (tab)
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 3ma 100 V
V
DSS
温度 系数 0.077 %/k
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 8ma 2 4 V
V
gs(th)
温度 系数 -0.183 %/k
I
GSS
V
GS
=
20v, v
GS
= 0v
200 nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 • v
DSS
V T
J
= 25
C 400
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
C2mA
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 • i
D25
10 m
脉冲波 测试, t
300 ms,
职责 循环 d
2 %
97505d (7/00)
HiPerFET
TM
电源 场效应晶体管
单独的 场效应晶体管 消逝
标识 测试 情况 最大 比率
IXFK IXFN
170N10 170N10
V
DSS
T
J
= 25°c 至 150°c 100 100 V
V
DGR
T
J
= 25°c 至 150°c 100 100 V
V
GS
持续的
20
20 V
V
GSM
瞬时
30
30 V
I
D25
T
C
= 25
C 170
170 一个
I
D125
T
C
= 125
c 76na
I
DM
T
C
= 25
C 680 680 一个
I
AR
T
C
= 25
C 170 170 一个
E
AR
T
C
= 25
c 6060mj
dv/dt
I
S
I
DM
, di/dt
100 一个/
s, v
DD
V
DSS
5 5 v/ns
T
J
150
c, r
G
= 2
P
D
T
C
= 25
C 560 600 W
T
J
-55 ... +150
C
T
JM
150
C
T
stg
-55 ... +150
C
T
L
1.6 mm (0.063 在) 从 情况 为 10 s 300 n/一个
C
V
ISOL
50/60 hz, rms t = 1 最小值 n/一个 2500 V~
I
ISOL
1 毫安 t = 1 s n/一个 3000 V~
M
d
挂载 torque 0.9/6 1.5/13 nm/lb.在.
终端 连接 torque n/一个 1.5/13 nm/lb.在.
重量
10 30 g
V
DSS
I
D25
R
ds(在)
t
rr
IXFN170N10
100V 170A 10m
200ns
IXFK170N10
100V 170A 10m
200ns
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
初步的 数据
: 点此下载
