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标识 测试 情况 最大 比率
V
DSS
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 500 V
V
DGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GS
= 1 m
Ω
500 V
V
GS
持续的
±
20 V
V
GSM
瞬时
±
30 V
I
D25
T
C
= 25
°
C 21N50 21 一个
24N50 24 一个
I
DM
T
C
= 25
°
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
21N50 84 一个
24N50 96 一个
P
D
T
C
= 25
°
C 300 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
M
d
挂载 torque 1.13/10 nm/lb.在.
重量
至-204 = 18 g, 至-247 = 6 g
最大 含铅的 温度 为 焊接 300
°
C
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s
至-247 ad (ixth)
MegaMOS
TM
场效应晶体管
n-频道 增强 模式
至-204 ae (ixtm)
V
DSS
I
D25
R
ds(在)
ixth / ixtm 21n50 500 v 21一个 0.25
ΩΩ
ΩΩ
Ω
ixth / ixtm 24n50 500 v 24一个 0.23
ΩΩ
ΩΩ
Ω
g = 门, d = 流,
s = 源, tab = 流
D
G
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
一个 500 V
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
A24V
I
GSS
V
GS
=
±
20 v
直流
, v
DS
= 0
±
100 nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 • v
DSS
T
J
= 25
°
C 200
µ
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
°
C1mA
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 i
D25
21N50 0.25
Ω
24N50 0.23
Ω
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 %
特性
l
国际的 标准 包装
l
低 r
ds (在)
HDMOS
TM
处理
l
坚毅的 polysilicon 门 cell 结构
l
低 包装 电感 (< 5 nh)
- 容易 至 驱动 和 至 保护
l
快 切换 时间
产品
l
转变-模式 和 resonant-模式
电源 供应
l
发动机 控制
l
uninterruptible 电源 供应 (ups)
l
直流 choppers
有利因素
l
容易 至 挂载 和 1 screw (至-247)
(分开的 挂载 screw 孔)
l
空间 savings
l
高 电源 密度
91536f(5/97)
d (tab)
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
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