k6r1008c1c-c/c-l, k6r1008c1c-i/c-p
cmos sram
初步的
修订 3.0
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九月 2001
初步的
文档 标题
128kx8 位 高-速 cmos 静态的 内存(5v 运行).
运作 在 商业的 和 工业的 温度 范围.
修订 history
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tions, 请 联系 这 samsung branch 办公室 near your 办公室, call 或者 联系 总部.
rev. 非.
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rev. 1.0
rev. 2.0
rev. 3.0
Remark
初步的
最终
最终
最终
History
最初的 释放 和 初步的.
释放 至 最终 数据 薄板.
1.1. delete 初步的.
2.2. 增加 数据 保持 特性.
增加 10ns 部分.
delete 20ns 速 bin
draft 数据
8月. 5. 1998
三月. 3. 1999
三月. 3. 2000
sep. 24. 2001
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