k6t4016v3c, k6t4016u3c 家族 cmos sram
修订 2.01
october 2001
1
文档 标题
256kx16 位 低 电源 和 低 电压 cmos 静态的 内存
修订 history
修订 非
0.0
0.1
0.11
1.0
2.0
2.01
Remark
进步
初步的
最终
最终
最终
History
最初的 draft
修订
- 速 bin 改变
商业的: 70/85ns 至 70/85/100ns
工业的: 85/100ns 至 70/85/100ns
- 直流 特性 改变
ICC: 5ma 在 读/写 至 4ma 在 读
ICC1: 5ma 至 6ma
ICC2: 50ma 至 45ma
ISB: 0.5ma 至 0.3ma
ISB1: 10
µ
一个 至 15
µ
一个 为 商业的 部分
errata 纠正
Finalize
修订
- 增加 k6t4016v3c-tb55 产品
修订
- 改进 vOH(输出 高 电压) 从 2.2v 至 2.4v.
draft 日期
january 13, 1998
六月 12, 1998
8月 13, 1998
十一月 16, 1998
六月 26, 2001
october 15, 2001
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