2003. 2. 25 1/2
半导体
技术的 数据
KDR729
肖特基 屏障 类型 二极管
修订 非 : 4
低 电压 高 速 切换.
特性
低 向前 电压 : v
f(4)
=0.43v(典型值.)
I
O
=200ma 整流 可能.
小 包装 : usc.
最大 比率 (ta=25 )
USC
DIM
毫米
一个
B
C
D
E
F
G
H
J
K
2.50 0.1
1.25 0.05
0.90 0.05
0.30+0.06/-0.04
1.70 0.05
最小值 0.17
0.126 0.03
0~0.1
0.15 0.05
0.4 0.05
2 +4/-2
L
M
4~6
I
1.0 最大值
cathode mark
M
M
I
C
J
G
D
2
1
B
1. anode
2. cathode
E
K
一个
F
H
L
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
* : 挂载 在 一个 glass 环氧的 电路 板 的 20 20mm,
垫子 维度 的 4
4mm.
电的 特性 (ta=25 )
类型 名字
标记
MU
典型的 标识 比率 单位
最大 (顶峰) 反转 电压
V
RM
30 V
反转 电压
V
R
30 V
最大 (顶峰) 向前 电流
I
FM
300 毫安
平均 向前 电流
I
O
200 毫安
surge 电流 (10ms)
I
FSM
1 一个
电源 消耗
P
D
200* mW
接合面 温度
T
j
125
存储 温度 范围
T
stg
-55 125
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压
V
f(1)
I
F
=1mA
- 0.22 -
V
V
f(2)
I
F
=10mA
- 0.29 -
V
f(3)
I
F
=100mA
- 0.38 -
V
f(4)
I
F
=200mA
- 0.43 0.55
反转 电流
I
R
V
R
=30V
- - 50
一个
总的 电容
C
T
V
R
=0v, f=1mhz
- 50 - pF
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