km62256d 家族 cmos sram
修订 1.0
十一月 1997
文档 标题
32kx8 位 低 电源 cmos 静态的 内存
修订 history
修订 非
0.0
0.1
1.0
Remark
设计 目标
Preliminily
最终
History
最初的 draft
第一 修订
-Km62256dl/dliISB1= 100
→
50
µ
一个
km62256dl-l iSB1= 20
→
10
µ
一个
km62256dli-l iSB1= 50
→
15
µ
一个
- c在= 6
→
8pf, cIO= 8
→
10pF
- km62256d-4/5/7 家族
toh = 5
→
10ns
- km62256dl/dli iDR= 50
→
30
µ
一个
km62256dl-l/dli-l iDR= 30
→
15
µ
一个
Finalize
- 除去 iCC写 值
- 改进 运行 电流
ICC2= 70
→
60mA
- 改进 备用物品 电流
km62256dl/dli iSB1= 50
→
30
µ
一个
km62256dl-l iSB1= 10
→
5
µ
一个
km62256dli-l iSB1= 15
→
5
µ
一个
- 改进 数据 保持 电流
km62256dl/dli iDR= 30
→
5
µ
一个
km62256dl-l/dli-l iDR= 15
→
3
µ
一个
- 除去 45ns 部分 从 商业的 产品 和 100ns 部分
从 工业的 产品.
替代 测试 加载 100pf 至 50pf 为 55ns 部分
draft 数据
将 18, 1997
april 1, 1997
十一月 11, 1997
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