©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
KSB1366
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 - 60 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 - 60 V
V
EBO
发射级-根基 电压 - 7 V
I
C
集电级 电流(直流) - 3 一个
I
B
根基 电流 - 0.5 一个
P
C
集电级 消耗 (t
一个
=25
°
c) 2 W
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 25 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= - 50ma, i
B
= 0 - 60 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= - 60v, i
E
= 0 - 100
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= - 7v, i
C
= 0 - 100
µ
一个
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益 V
CE
= - 5v, i
C
= - 0.5a
V
CE
= - 5v, i
C
= - 3a
100
20
320
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压
I
C
= - 2a, i
B
= - 0.2a - 0.5 - 1 V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
= - 5v, i
C
= - 0.5a - 0.7 - 1 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= - 5v, i
C
= - 0.5a 9 MHz
分类 Y G
h
FE1
100 ~ 200 150 ~ 320
KSB1366
低 频率 电源 放大器
• complement 至 ksd2012
1
1.根基 2.集电级 3.发射级
至-220f
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