©2001 仙童 半导体 公司 rev. a1, january 2001
KSE13005F
npn 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 700 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 400 V
V
EBO
发射级-根基 电压 9 V
I
C
集电级 电流 (直流) 4 一个
I
CP
集电级 电流 (脉冲波) 8 一个
I
B
根基 电流 2 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 30 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CEO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 10ma, i
B
= 0 400 V
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 9v, i
C
= 0 1 毫安
h
FE
*dc 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 1a
V
CE
= 5v, i
C
= 2a
10
8
60
40
V
CE
(sat) *collector-发射级 饱和 电压 I
C
= 1a, i
B
= 0.2a
I
C
= 2a, i
B
= 0.5a
I
C
= 4a, i
B
= 1a
0.5
0.6
1
V
V
V
V
是
(sat) *base-发射级 饱和 电压
I
C
= 1a, i
B
= 0.2a
I
C
= 2a, i
B
= 0.5a
1.2
1.6
V
V
C
ob
输出 电容 V
CB
= 10v , f = 0.1mhz 65 pF
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 10v, i
C
= 0.5a 4 MHz
t
在
转变 在 时间 V
CC
=125v, i
C
= 2a
I
B1
= - i
B2
= 0.4a
R
L
= 125
Ω
0.8
µ
s
t
STG
存储 时间 4
µ
s
t
F
下降 时间 0.9
µ
s
KSE13005F
高 电压 转变 模式 应用
• 高 速 切换
• 合适的 为 切换 调整器 和 发动机 控制
1
1.根基 2.集电级 3.发射级
至-220f
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