©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, july 2002
KSP94
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 -400 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 -400 V
V
EBO
发射级-根基 电压 -6 V
I
C
集电级 电流 -300 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 625 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55~150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= -100
µ
一个, i
E
=0 -400 V
BV
CES
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= -100
µ
一个, v
是
=0 -400 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= -10
µ
一个, i
C
=0 -6 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= -300v, v
E
=0 -100 nA
I
CES
集电级 截-止 电流 V
CE
= -400v, v
是
=0V -1
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
是
= -4v, i
C
=0 -100 nA
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
直流 电流 增益 V
CE
= -10v, i
C
= -1ma
V
CE
= -10v, i
C
= -10ma
V
CE
= -10v, i
C
= -50ma
V
CE
= -10v, i
C
= -100ma
40
50
45
40
300
V
CE
(sat)
1
V
CE
(sat)
2
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= -10ma, i
B
= -1ma
I
C
= -50ma, i
B
= -5ma
-500
-750
mV
mV
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= -10ma, i
B
= -1ma -750 mV
C
ob
输出 电容 V
CB
= -20v, i
E
=0, f=1mhz 7 pF
KSP94
高 电压 晶体管
• 高 集电级-发射级 电压: v
CEO
= -400v
• 低 集电级-发射级 饱和 电压
• complement 至 ksp44
1. 发射级 2. 根基 3. 集电级
至-92
1
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