2001. 12. 6 1/3
半导体
技术的 数据
KTB1124
外延的 planar pnp 晶体管
修订 非 : 3
电压 regulators, 接转 驱动器
lamp 驱动器, 电的 设备
特性
adoption 的 mbit 处理.
低 集电级-至-发射级 饱和 电压.
快 切换 速.
大 电流 capacity 和 宽 aso.
complementary 至 ktd1624.
最大 比率 (ta=25
)
DIM
一个
B
D
E
G
H
K
4.70 最大值
2.50 0.20
1.70 最大值
0.45+0.15/-0.10
4.25 最大值
1.50 0.10
0.40 典型值
1.75 最大值
0.75 最小值
0.5+0.10/-0.05
sot-89
C
J
G
D
123
2. 集电级 (热温 下沉)
一个
C
K
J
F
毫米
H
1. 根基
3. 发射级
B
E
FF
D
+
_
+
_
电的 特性 (ta=25
)
便条 : h
FE
(1) 分类 一个:100
200, b:140
280, c:200
400
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压
V
CBO
-60 V
vollector-发射级 电压
V
CEO
-50 V
发射级-根基 电压
V
EBO
-6 V
集电级 电流
I
C
-3 一个
集电级 电流(脉冲波)
I
CP
-6 一个
集电级 电源 消耗
P
C
500 mW
P
C
*
1 W
接合面 温度
T
j
150
存储 温度 范围
T
stg
-55
150
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位.
集电级 截-止 电流
I
CBO
V
CB
=-40v, i
E
=0
- - -1
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
=-4v, i
C
=0
- - -1
直流 电流 增益
h
FE
(1) (便条)
V
CE
=-2v, i
C
=-100
100 - 400
h
FE
(2) V
CE
=-2v, i
C
=-3a
35 - -
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
=-2a, i
B
=-100
- -0.35 -0.7 V
根基-发射级 饱和 电压
V
是(sat)
I
C
=-2a, i
B
=-100
- -0.94 -1.2 V
转变 频率
f
T
V
CE
=-10v, i
C
=-50
- 150 -
集电级 输出 电容
C
ob
V
CB
=-10v, f=1
- 39 -
切换
时间
转变-在 时间
t
在
I
B2
470
Ω
25
5V
-25v
-10i 1=10i =i =1a
BB2C
100
Ω
50
VR
I
B1
PW=20
µ
s
直流 1%
R8
输入
<
=
- 70 -
nS
存储 时间
t
stg
- 450 -
下降 时间
t
f
- 35 -
* : 包装 挂载 在 陶瓷的 基质(250mm
2
0.8t)
X
类型 名字
h 分级
FE
lot 非.
标记
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