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在 这 absence 的 confirmation 用 设备 规格 薄板, sharp takes 非 责任 为 任何 defects 那 将 出现 在 设备 使用 任何 sharp 设备 显示 在 catalogs, 数据 书,
等 联系 sharp 在 顺序 至 获得 这 最新的 设备 规格 薄板 在之前 使用 任何 sharp 设备.
描述
这 lh28f800sg-l flash 记忆 和 smart
电压 技术 是 一个 高-密度, 低-
费用, nonvolatile, 读/写 存储 解决方案 为 一个
宽 范围 的 产品. 这 lh28f800sg-l
能 运作 在 v
CC
= 2.7 v 和 v
PP
= 2.7 v. 它的
低 电压 运作 能力 realizes 变长
电池 生命 和 suits 为 cellular phone 应用.
它的 symmetrically-blocked architecture, 有伸缩性的
电压 和 增强 cycling 能力 提供 为
高级地 有伸缩性的 组件 合适的 为 resident flash
arrays, simms 和 记忆 cards. 它的 增强
suspend 能力 提供 为 一个 完美的 解决方案 为
代号 + 数据 存储 产品. 为 secure 代号
存储 产品, 此类 作 networking, 在哪里
代号 是 也 直接地 executed 输出 的 flash 或者
下载 至 dram, 这 lh28f800sg-l 提供
三 水平 的 保护 : 绝对 保护 和
V
PP
在 地, 选择性的 硬件 块 locking, 或者
有伸缩性的 软件 块 locking.这些 alternatives
给 designers ultimate 控制 的 它们的 代号 安全
needs.
特性
• smartvoltage 技术
– 2.7 v, 3.3 v 或者 5 v v
CC
– 2.7 v, 3.3 v, 5 v 或者 12 v v
PP
• 高 效能 读 进入 时间
lh28f800sg-l70
– 70 ns (5.0±0.25 v)/80 ns (5.0±0.5 v)/
85 ns (3.3±0.3 v)/100 ns (2.7 至 3.0 v)
lh28f800sg-l10
– 100 ns (5.0 ±0.5 v)/100 ns (3.3±0.3 v)/
120 ns (2.7 至 3.0 v)
• 增强 automated suspend 选项
– 文字 写 suspend 至 读
– 块 擦掉 suspend 至 文字 写
– 块 擦掉 suspend 至 读
• 增强 数据 保护 特性
– 绝对 保护 和 v
PP
= 地
– 有伸缩性的 块 locking
– 块 擦掉/文字 写 lockout 在 电源
transitions
• sram-兼容 写 接口
• 高-密度 symmetrically-blocked architecture
– 十六 32 k-文字 可擦掉的 blocks
• 增强 cycling 能力
– 100 000 块 擦掉 循环
– 1.6 million 块 擦掉 循环/碎片
• 低 电源 管理
– 深的 电源-向下 模式
– 自动 电源 节省 模式 减少 i
CC
在 静态的 模式
• automated 文字 写 和 块 擦掉
– command 用户 接口
– 状态 寄存器
• ETOX
TM
∗
v nonvolatile flash 技术
• 包装
– 44-管脚 sop (sop044-p-0600)
∗
etox 是 一个 商标 的 intel 公司.
lh28f800sg-l (为 sop)
8 m-位 (512 kb x 16) smartvoltage
flash 记忆
lh28f800sg-l
(为 sop)
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