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资料编号:459490
 
资料名称:M2764A-2F1
 
文件大小: 109.11K
   
说明
 
介绍:
NMOS 64K 8K x 8 UV EPROM
 
 


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AI00776B
13
a0-a12
P
q0-q7
V
PP
V
CC
M2764A
G
E
V
SS
8
图示 1. 逻辑 图解
M2764A
nmos 64k (8k x 8) uv 非易失存储器
快 进入 时间: 180ns
扩展 温度 范围
单独的 5v 供应 电压
低 备用物品 电流: 35ma 最大值
ttl 兼容 在 读 和 程序
快 程序编制 algorithm
电子的 signature
程序编制 电压: 12v
描述
这 m2764a 是 一个 65,536 位 uv 可擦掉的 和
用电气 可编程序的 记忆 非易失存储器. 它 是
这 m27c64a 是 housed 在 一个 28 管脚 window ce-
ramic frit-seal 双-在-线条 包装. 这 trans-
parent lid 准许 这 用户 至 expose 这 碎片 至
ultraviolet 明亮的 至 擦掉 这 位 模式. 一个 新
模式 能 然后 是 写 至 这 设备 用 下列-
ing 这 程序编制 程序.
a0 - a12 地址 输入
q0 - q7 数据 输出
E 碎片 使能
G 输出 使能
P 程序
V
PP
程序 供应
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
表格 1. 信号 names
1
28
fdip28w (f)
march 1995 1/10
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