半导体 组件 industries, llc, 2000
8月, 2000 – rev. 1
1
发行 顺序 号码:
mbt35200mt1/d
一个 设备 的 这
X
家族
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c)
比率 标识 最大值 单位
集电级-发射级 电压 V
CEO
–35 Vdc
集电级-根基 电压 V
CBO
–55 Vdc
发射级-根基 电压 V
EBO
–5.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
–2.0 模数转换器
集电级 电流 — 顶峰 I
CM
–5.0 一个
静电的 释放 静电释放 hbm 类 3
mm 类 c
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
(便条 1.) 625
5.0
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
接合面 至 包围的
R
θ
JA
(便条 1.) 200
°
c/w
总的 设备 消耗
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
(便条 2.) 1.0
8.0
W
mw/
°
C
热的 阻抗,
接合面 至 包围的
R
θ
JA
(便条 2.) 120
°
c/w
热的 阻抗,
接合面 至 含铅的 #1
R
θ
JL
80
°
c/w
总的 设备 消耗
(单独的 脉冲波 < 10 秒.)
P
Dsingle
(注释 2. &放大; 3.)
1.75 W
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
–55 至
+150
°
C
1. fr–4 @ 最小 垫子
2. fr–4 @ 1.0 x 1.0 inch 垫子
3. ref: 图示 9
设备 包装 Shipping
订货 信息
MBT35200MT1 情况 318g
http://onsemi.com
情况 318g
TSOP
样式 6
3000/录音带 &放大; 卷轴
设备 标记
4
5
6
3
2
1
35 伏特
2.0 放大器
pnp 晶体管
g4 (日期 代号)
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