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资料编号:477673
 
资料名称:MCR22-6
 
文件大小: 101.62K
   
说明
 
介绍:
Silicon Controlled Rectifiers
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
motorola thyristor 设备 数据
控制 整流器
.. . designed 和 tested f或者 repetitive 顶峰 运作 必需的 f或者 cd ignition, fuel
ignitors, flash 电路, 发动机 控制 和 低-电源 切换 产品.
150 amperes 为 2
µ
s safe 范围
高 dv/dt
非常 低 向前 “on” 电压 在 高 电流
低-费用 至-226aa (至-92)
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
比率
标识 单位
顶峰 repetitive 向前 和 反转 blocking voltage
(r
GK
= ik, t
J
= 25 至 125
°
c)
mcr22-2
mcr22-3
mcr22-4
mcr22-6
mcr22-8
V
DRM
,
V
RRM
50
100
200
400
600
伏特
在-状态 电流 rms
(所有 传导 angles)
I
t(rms)
1.5 放大器
顶峰 非-repetitive surge 电流, t
一个
= 25
°
C
(1/2 循环, sine 波, 60 hz)
I
TSM
15 放大器
电路 fusing 仔细考虑 (t = 8.3 ms) I
2
t 0.9 一个
2
s
顶峰 门 电源, t
一个
= 25
°
C P
GM
0.5 Watt
平均 门 电源, t
一个
= 25
°
C P
g(av)
0.1 Watt
顶峰 向前 门 电流, t
一个
= 25
°
C
(300
µ
s, 120 pps)
I
FGM
0.2 放大
顶峰 反转 门 电压 V
RGM
5 伏特
运行 接合面 温度 范围 @ 评估 v
RRM
和 v
DRM
T
J
–40 至 +125
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–40 至 +150
°
C
含铅的 焊盘 温度
(含铅的 长度
q
1/16
I
从 情况, 10 s 最大值)
+230
°
C
1. V
DRM
一个nd v
RRM
for 一个ll types c一个n bpplied on 一个 continuous basis. ratings 一个pply for zero or negative ge voltage; however, positive gate
电压 将要 不 是 应用 concurrent 和 负的 潜在的 在 这 anode. blocking 电压 将要 不 是 测试 with 一个 constant 电流
源 此类 那 这 电压 比率 的 这 设备 是 超过.
顺序 这个 文档
用 mcr22-2/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1995
MCR22Ć2
thru
MCR22Ć8
情况 29-04
(至-226aa)
样式 10
SCRs
1.5 amperes rms
50 thru 600 伏特
K
G
一个
K
G
一个
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