©2001 仙童 半导体 公司 rev. a2, 六月 2001
mjd32/32c
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压
: mjd32
: mjd32c
- 40
- 100
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压
: mjd32
: mjd32c
- 40
- 100
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 - 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 3 一个
I
CP
集电级 电流 (脉冲波) - 5 一个
I
B
根基 电流 - 1 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 15 W
集电级 消耗 (t
一个
=25
°
c) 1.56 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
CEO
(sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压
: mjd32
: mjd32c
I
C
= - 30ma, i
B
= 0 -40
-100
V
V
I
CEO
集电级 截-止 电流
: mjd32
: mjd32c
V
CE
= - 40v, i
B
= 0
V
CE
= - 60v, i
B
= 0
-50
-50
µ
一个
µ
一个
I
CES
集电级 截-止 电流
: mjd32
: mjd32c
V
CE
= - 40v, v
是
= 0
V
CE
= - 100v, v
是
= 0
-20
-20
µ
一个
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
是
= - 5v, i
C
= 0 -1 毫安
h
FE
* 直流 电流 增益 V
CE
= - 4v, i
C
= - 1a
V
CE
= - 4v, i
C
= - 3a
25
10 50
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= - 3, i
B
= - 375ma -1.2 V
V
是
(在) * 根基-发射级 在 电压 V
CE
= - 4a, i
C
= - 3a -1.8 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= -10v, i
C
= - 500ma 3 MHz
mjd32/32c
一般 目的 放大器 低 速
切换 产品
d-pak 为 表面 挂载 产品
• 加载 formed 为 表面 挂载 应用 (非 后缀)
• 笔直地 含铅的 (i-pak, “- i” 后缀)
• 用电气 类似的 至 popular tip32 和 tip32c
1.根基 2.集电级 3.发射级
d-pak i-pak
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