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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
TMOS 切换
N–频道 — 增强
最大 比率
比率 标识 MPF930 MPF960 MPF990 单位
流–源 电压 V
DS
35 60 90 Vdc
流–门 电压 V
DG
35 60 90 Vdc
gate–source 电压
— 持续的
— non–repetitive (t
p
≤
50
µ
s)
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
流 电流
持续的
(1)
搏动
(2)
I
D
I
DM
2.0
3.0
模数转换器
总的 设备 消耗
@ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
1.0
8.0
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 接合面
温度 范围
T
J
, t
stg
–55 至 150
°
C
热的 阻抗
θ
JA
125
°
c/w
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain–source 损坏 电压
(v
GS
= 0, i
D
= 10
µ
模数转换器) MPF930
MPF960
MPF990
V
(br)dsx
35
60
90
—
—
—
—
—
—
Vdc
门 反转 电流 (v
GS
= 15 vdc, v
DS
= 0) I
GSS
— — 50 nAdc
在 特性
(2)
zero–gate–voltage 流 电流
(v
DS
= 最大 比率, v
GS
= 0)
I
DSS
— — 10
µ
模数转换器
门 门槛 电压
(i
D
= 1.0 madc, v
DS
= v
GS
)
V
gs(th)
1.0 — 3.5 Vdc
drain–source on–voltage (v
GS
= 10 vdc)
(i
D
= 0.5 模数转换器) MPF930
MPF960
MPF990
(i
D
= 1.0 模数转换器) MPF930
MPF960
MPF990
(i
D
= 2.0 模数转换器) MPF930
MPF960
MPF990
V
ds(在)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.4
0.6
0.6
0.9
1.2
1.2
2.2
2.8
2.8
0.7
0.8
1.2
1.4
1.7
2.4
3.0
3.5
4.8
Vdc
1. 这 电源 消耗 的 这 包装 将 结果 在 一个 更小的 持续的 流 电流.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
v
300
µ
s, 职责 循环
v
2.0%.
顺序 这个 文档
用 mpf930/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MPF930
MPF960
MPF990
情况 29–05, 样式 22
to–92 (to–226ae)
1
2
3
motorola, 公司 1997
3 流
1 源
2
门
rev 2
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