MSM514260E-60JS_集成电路资料查询网

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半导体
MSM514260E
262,144-文字 x16-位动态内存: 快 页 模式 类型
描述
这MSM514260E是 一个262,144-文字
×
16-位 动态内存 fabricated 在 oki’s 硅-门 cmos 技术.
这msm514260e achieves 高 integration, 高-速 运作, 和 低-电源 消耗量 因为 oki
manufactures 这 设备 在 一个 quadruple-layerpolysilicon/翻倍-layer metal cmos 处理. 这 msm514260e
是 有 在 一个 40-管脚 塑料 soj, 44/40-管脚 塑料 tsop.
FEATURES
•
262,144-文字
×
16-位 配置
•
单独的5V电源供应,
±
10% 容忍
•
输入 :ttl 兼容, 低 输入 电容
•
输出 :ttl 兼容, 3-状态
•
Refresh :512 循环/8 ms
•
快 页 模式, 读 modify 写 能力
•
CAS
在之前
RAS
refresh, hiddenrefresh,
RAS
-仅有的 refresh 能力
•
包装 选项:
40-管脚 400mil 塑料 soj (soj40-p-400-1.27) (产品 : msm514260e-xxjs)
44/40-管脚 400mil 塑料 tsop (tsopii44/40-p-400-0.80-k) (产品 : msm514260e-xxts-k)
xx : indicates 速 分级.
产品FAMILY
进入 时间(最大值.) 电源 消耗
家族
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
循环 时间
(最小值.)
运行 (最大值.) 备用物品 (最大值.)
60ns 30ns 15ns 15ns 110ns 633mW
MSM514260E
70ns 35ns 20ns 20ns 130ns 578mW
5.5mw
这个 版本:8月.2000

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1/14 半导体 MSM514260E 262,144-文字 x16-位动态内存: 快页模式类型描述这MSM514260E是一个262,144-文字 × 16-位动态内存 fabricated 在 oki’s 硅-门 cmos 技术. 这msm514260e achieves 高 integration, 高-速运作, 和低-电源消耗量因为 oki manufactures 这设备在一个 quadruple-layerpolysilicon/翻倍-layer metal cmos 处理. 这 msm514260e 是有在一个 40-管脚塑料 soj, 44/40-管脚塑料 tsop. FEATURES • 262,144-文字 × 16-位配置 • 单独的5V电源供应, ± 10% 容忍 • 输入 :ttl 兼容, 低输入电容 • 输出 :ttl 兼容, 3-状态 • Refresh :512 循环/8 ms • 快页模式, 读 modify 写能力 • CAS 在之前 RAS refresh, hiddenrefresh, RAS -仅有的 refresh 能力 • 包装选项: 40-管脚 400mil 塑料 soj (soj40-p-400-1.27) (产品 : msm514260e-xxjs) 44/40-管脚 400mil 塑料 tsop (tsopii44/40-p-400-0.80-k) (产品 : msm514260e-xxts-k) xx : indicates 速分级. 产品FAMILY 进入时间(最大值.) 电源消耗家族 t RAC t AA t CAC t OEA 循环时间 (最小值.) 运行 (最大值.) 备用物品 (最大值.) 60ns 30ns 15ns 15ns 110ns 633mW MSM514260E 70ns 35ns 20ns 20ns 130ns 578mW 5.5mw 这个版本:8月.2000

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