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¡ 半导体
msm511000c/cl
描述
这 msm511000c/cl 是 一个 1,048,576-文字
¥
1-位 动态 内存 fabricated 在 oki's 硅-门
cmos 技术. 这 msm511000c/cl achieves 高 integration, 高-速 operation, 和
低-电源 消耗量 因为 oki manufactures 这 设备 在 一个 quadruple-layer polysilicon/
单独的-layer metal cmos 处理. 这 msm511000c/cl 是 有 在 一个 26/20-管脚 塑料 soj 或者
20-管脚 塑料 zip. 这 msm511000cl (这 低-电源 version) 是 specially 设计 为 lower-
电源 产品.
特性
• 1,048,576-文字
¥
1-位 配置
• 单独的 5 v 电源 供应,
±
10% 容忍
• 输入 : ttl 兼容, 低 输入 电容
• 输出 : ttl 兼容, 3-状态
• Refresh : 512 循环/8 ms, 512 循环/64 ms (l-version)
• 快 页 模式, 读 modify 写 能力
•
CAS
在之前
RAS
refresh, hidden refresh,
RAS
-仅有的 refresh 能力
• 包装 选项:
26/20-管脚 300 mil 塑料 soj (soj26/20-p-300-1.27) (产品 : msm511000c/cl-xxjs)
20-管脚 400 mil 塑料 zip (zip20-p-400-1.27) (产品 : msm511000c/cl-xxzs)
xx indicates 速 分级.
产品 家族
¡ 半导体
msm511000c/cl
1,048,576-文字
¥
1-位 动态 内存 : 快 页 模式 类型
msm511000c/cl-50
50 ns
100 ns
120 ns
440 mw
385 mw
5.5 mw/
家族
进入 时间 (最大值.)
循环 时间
(最小值.)
备用物品 (最大值.)
电源 消耗
msm511000c/cl-60
t
RAC
60 ns
26 ns
t
AA
30 ns
14 ns
t
CAC
15 ns
msm511000c/cl-45
45 ns
90 ns 468 mw
24 ns 14 ns
运行 (最大值.)
1.1 mw (l-版本)
130 ns 330 mwmsm511000c/cl-70
70 ns 35 ns 20 ns
e2g0009-17-41
这个 版本: jan. 1998
previous 版本: 将 1997