半导体 组件 industries, llc, 2002
8月, 2002 – rev. 1
1
发行 顺序 号码:
mur180e/d
mur1100e 是 一个 preferred 设备
ultrafast “e” 序列 和 高 反转
活力 能力
. . . 设计 为 使用 在 切换 电源 供应, 反相器 和 作
自由 转动 二极管, 这些 state–of–the–art 设备 有 这
下列的 特性:
•
10 mjoules avalanche 活力 有保证的
•
极好的 保护 相反 电压 过往旅客 在 切换
inductive 加载 电路
•
ultrafast 75 nanosecond 恢复 时间
•
175
°
c 运行 接合面 温度
•
低 向前 电压
•
低 泄漏 电流
•
高 温度 glass 钝化的 接合面
•
反转 电压 至 1000 伏特
机械的 特性:
•
情况: 环氧的, 模塑的
•
重量: 0.4 gram (大概)
•
完成: 所有 外部 surfaces corrosion resistant 和 终端
leads 是 readily solderable
•
含铅的 和 挂载 表面 温度 为 焊接 目的:
220
°
c 最大值 为 10 秒, 1/16
″
从 情况
•
运输 在 塑料 bags, 1000 每 袋子
•
有 录音带 和 卷盘, 5000 每 卷轴, 用 adding 一个 “rl’’ 后缀 至
这 部分 号码
•
极性: cathode 表明 用 极性 带宽
•
标记: mur180e, mur1100e
最大 比率
比率 标识 值 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压 MUR180E
MUR1100E
V
RRM
V
RWM
V
R
800
1000
V
平均 调整的 向前 电流
(便条 1.) (正方形的 波 挂载
方法 #3 每 便条 3.)
I
f(av)
1.0 @
T
一个
= 95
°
C
一个
非-repetitive 顶峰 surge 电流
(surge 应用 在 评估 加载 情况,
halfwave, 单独的 阶段, 60 hz)
I
FSM
35 一个
运行 接合面 温度 和
存储 温度 范围
T
J
, t
stg
–65 至
+175
°
C
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 = 300
s, 职责 循环
≤
2.0%.
设备 包装 Shipping
订货 信息
MUR180ERL 轴的 含铅的 5000/录音带 &放大; 卷轴
MUR180E 轴的 含铅的 1000 单位/袋子
ULTRAFAST
整流器
1.0 amperes
800–1000 伏特
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
轴的 含铅的
情况 059–10
塑料
标记 图解
MUR1x0E
MUR1x0E = 设备 代号
x = 8 或者 10
MUR1100ERL 轴的 含铅的 5000/录音带 &放大; 卷轴
MUR1100E 轴的 含铅的 1000 单位/袋子
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