半导体 组件 industries, llc, 2001
october, 2001 – rev. 3
1
发行 顺序 号码:
mmbv2101lt1/d
6.8–100 pf, 30 伏特
电压 能变的 电容 二极管
这些 设备 是 设计 在 popular 塑料 包装 为 这 高
容积 (所需的)东西 的 fm 无线电 和 tv tuning 和 afc, 一般
频率 控制 和 tuning 产品. 它们 提供 solid–state
可靠性 在 替换 的 机械的 tuning 方法. 也
有 在 一个 表面 挂载 包装 向上 至 33 pf.
•
高 q
•
控制 和 uniform tuning 比率
•
标准 电容 容忍 – 10%
•
完全 典型 设计 曲线
最大 比率
比率 标识 值 单位
反转 电压 V
R
30 Vdc
向前 电流 I
F
200 mAdc
向前 电源 消耗
@ t
一个
= 25
°
C MMBV21xx
减额 在之上 25
°
C
@ t
一个
= 25
°
C MV21xx
减额 在之上 25
°
C LV22xx
P
D
225
1.8
280
2.8
mW
mw/
°
C
接合面 温度 T
J
+150
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–55 至 +150
°
C
设备 标记
mmbv2101lt1 = m4g mmbv2108lt1 = 4x mv2109 = mv2109
mmbv2103lt1 = 4h mmbv2109lt1 = 4j lv2205 = lv2205
mmbv2105lt1 = 4u mv2101 = mv2101 lv2209 = lv2209
mmbv2107lt1 = 4w mv2105 = mv2105
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
反转 损坏 电压
(i
R
= 10
µ
模数转换器)
mmbv21xx, mv21xx
LV22xx
V
(br)r
30
25
–
–
–
–
Vdc
反转 电压 泄漏
电流
(v
R
= 25 vdc, t
一个
= 25
°
c)
I
R
– – 0.1
µ
模数转换器
二极管 电容
温度 系数
(v
R
= 4.0 vdc, f = 1.0 mhz)
TC
C
– 280 – ppm/
°
C
http://onsemi.com
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
标记
图解
SOT–23
TO–92
1
2
3
1
2
XX
XXXX
YWW
to–226ac, to–92
情况 182
样式 1
to–236ab, sot–23
情况 318–08
样式 8
xxx m
XXX = 设备 code*
M = 日期 代号
* 看 表格
XX = 设备 代号 线条 1*
XXXX = 设备 代号 线条 2*
M = 日期 代号
* 看 表格
: 点此下载
