技术的 数据
pnp 切换 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/350
设备 qualified 水平的
2N3867
2N3867S
2N3868
2N3868S
JAN
JANTX
JANTXV
最大 比率
比率
标识
2N3867
2N3867S
2N3868
2N3868S
单位
集电级-Emitter 电压
V
CEO
40 60 Vdc
集电级-根基 电压
V
CBO
40 60 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
4.0 Vdc
集电级 电流--持续的
I
C
3.0 模数转换器
总的 电源 消耗@ t
一个
= 25
0
C
(1)
@ t
C
= 25
0
C
(2)
P
T
1.0
10
W
W
运行 &放大; 存储 温度 范围
T
运算,
T
STG
-55 至 +200
0
C
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面-至-情况
R
θ
JC
17.5
0
c/w
1) 减额 成直线地 5.71 mw/
0
c 为 t
一个
> +25
0
C
2) 减额 成直线地 57.1 mw/
0
C为 t
C
> +25
0
C
*see 附录 一个 为
包装 外形
电的 特性 (t
一个
= 25
0
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100
µ
模数转换器2n3867, s
2n3868, s
V
(br)
CBO
40
60
Vdc
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 20 madc2n3867, s
2n3868, s
V
(br)
CEO
40
60
Vdc
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 100
µ
模数转换器
V
(br)
EBO
4.0
Vdc
集电级-发射级 截止 电流
V
EB
= 2.0 vdc, v
CE
= 40 vdc2n3867, s
V
EB
= 2.0 vdc, v
CE
= 60 vdc2n3868, s
I
CEX
1.0
1.0
µ
模数转换器
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 40 vdc 2n3867, s
V
CB
= 60 vdc 2n3868, s
I
CBO
100
µ
模数转换器
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 4 vdc
I
EBO
100
µ
模数转换器
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
页1的 2
至-5*
2n3867, 2n3868
至-39*
(至-205ad)
2n3867s, 2n3868s
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