技术的 数据
npn 电源 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/544
设备 qualified 水平的
2N5152
2N5152L
2N5154
2N5154L
JAN
JANTX
JANTXV
最大 比率
比率 标识 所有 单位 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
80 Vdc
Collector-根基 电压
V
CBO
100 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
5.5 Vdc
集电级 电流
I
C
(3, 4)
2.0 模数转换器
总的 电源 消耗@ t
一个
= +25
0
C
(1)
@ t
C
= +25
0
C
(2)
P
T
1.0
11.8
W
W
运行 &放大; 存储 温度 范围
T
j
,
T
stg
-65 至 +200
°
C
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面-至-情况
R
θ
JC
15
0
c/w
1) 减额 成直线地 5.7 mw/
0
c 为 t
一个
> +25
0
C
2) 减额 成直线地 66.7 mw/
0
c 为 t
C
> +25
0
C
3) 减额 成直线地 80 mw/
0
C为 t
C
> +25
0
C
4) 这个 值 应用 为 p
W
≤
8.3 ms, 职责 循环
≤
1%
至-5*
2N5152l, 2n5154L
2N5152, 2n5154
至-39*
(至-205ad)
*see 附录 一个 为
包装 外形
电的 特性 (t
一个
= 25
0
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 破裂向下 电压
I
C
= 100 madc, i
B
= 0
V
(BR)CEO
80 Vdc
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 4.0 vdc, i
C
= 0
V
EB
= 5.5 vdc, i
C
= 0
I
EBO
1.0
1.0
µ
模数转换器
mAdc
集电级-发射级 截止 电流
V
CE
= 60 vdc, v
是
= 0
V
CE
= 100 vdc, v
是
= 0
I
CES
1.0
1.0
µ
模数转换器
mAdc
集电级-根基 截止 电流
V
CE
= 40 vdc, i
B
= 0
I
CEO
50
µ
模数转换器
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
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