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资料编号:501551
 
资料名称:JAN2N5039
 
文件大小: 55.42K
   
说明
 
介绍:
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
 
 


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1
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2
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3
 
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技术的 数据
npn 高 电源 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/439
设备 qualified 水平的
2N5038 2N5039
JAN
JANTX
JANTXV
最大 比率
比率 标识 2N5038 2N5039 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
90 75 Vdc
集电级-根基 电压
V
CBO
150 125 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
7.0 Vdc
根基 电流 I
B
5.0 模数转换器
集电级 电流
I
C
20 模数转换器
总的 电源 消耗 @ t
C
= +25
0
C
(1)
P
T
140 W
运行 &放大; 存储 温度 范围
T
运算
,
T
stg
-65 至 +200
0
C
热的 charactERISTICS
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面--情况
R
θ
JC
1.25
0
c/w
1) 减额 成直线地 800 mw/
0
c 为 t
C
> +25
0
C
*see 附录 一个 为
包装 外形
电的 特性 (t
一个
= 25
0
c 除非 否则 指出)
Characteristics
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 200 madc2N5038
2N5039
V
(br)
CEO
90
75
Vdc
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 25 madc
V
(br)
EBO
7.0 Vdc
集电级-根基 截止 电流
V
CE
= 150 vdc2N5038
V
CE
= 125 vdc2N5039
I
CBO
1.0
1.0
µ
模数转换器
集电级-根基 截止 电流
V
CE
= 70 vdc2N5038
V
CE
= 55 vdc2N5039
I
CEO
1.0
1.0
µ
模数转换器
发射级-根基 截止 电流
V
EB
= 5.0 vdc
I
EBO
1.0
µ
模数转换器
集电级-发射级 截止 电流
V
=-1.5 vdc v
CE
= 100 vdc2N5038
V
=-1.5 vdc v
CE
= 85 vdc2N5039
I
CEX
5.0
5.0
µ
模数转换器
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
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(至-204aa)
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