STP6NA60
STP6NA60FI
N - 频道 增强 模式
快 电源 MOS 晶体管
■
典型 R
ds(在)
=1
Ω
■
±
30V 门 至 源 电压 比率
■
100% AVALANCHE 测试
■
REPETITIVE AVALANCHE 数据 在 100
o
C
■
低 INTRINSIC CAPACITANCES
■
门 GHARGE 使减少到最低限度
■
减少 门槛 电压 展开
描述
这个 序列 的 电源 MOSFETS 代表 这
大多数 先进的 高 电压 技术. 这
优化 cell 布局 结合 和 一个 新
专卖的 边缘 末端 concur 至 给 这
设备 低 R
ds(在)
和 门 承担, unequalled
强壮 和 更好的 切换 效能.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
转变 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 WELDING
设备 和 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 和 发动机 驱动
内部的 图式 图解
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP6NA60
STP6NA60FI
600 V
600 V
<1.2
Ω
<1.2
Ω
6.5 一个
3.9 一个
1
2
3
至-220 ISOWATT220
十一月 1996
绝对 最大 比率
Symbol 参数 Value 单位
STP6NA60 STP6NA60FI
V
DS
流-source 电压 (v
GS
=0) 600 V
V
DG R
流-门 Voltage (r
GS
=20k
Ω
)600v
V
GS
门-源 电压
±
30 V
I
D
流 电流 (内容inuous) 在 T
c
=25
o
c6.53.9a
I
D
流 电流 (内容inuous) 在 T
c
=100
o
c4.3 2.6a
I
DM
(
•
) 流 电流 (pulsed) 26 26 一个
P
tot
总的 消耗 在 T
c
=25
o
C 125 45 W
减额 因素 1 0.36 w/
o
C
V
ISO
Insulation 承受 电压 (直流)
2000 V
T
stg
Storage Temperature -65 至 150
o
C
T
j
最大值 Operating 接合面 Temperature 150
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
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